孙东提到,特区政府正以产业导向为原则,积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于年内成立,并设立碳化硅和氮化镓两条中试线,协助初创、中小企业进行试产、测试和认证,促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。
ag8亚洲游戏国际平台氮化镓(GaN)是一种坚硬且非常稳定的第三代半导体材料,可在高温和高电压下进行长时间运作。此次在港设立的研发中心,将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台,用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元,设立投产后,会进行氮化镓外延片的小批量生产。
香港特区政府创新科技及工业局局长孙东在当天活动上致辞指出,香港要因地制宜发展新质生产力,须发挥好香港的国际化优势和雄厚的科研实力,支持优势科技产业在港发展,而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术,能够优化产品性能,提升稳定性,为行业带来革命性突破。
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